MKY-RJ39-2180 α、β表面污染測(cè)量?jī)x

主要參數(shù)指標(biāo)
v 探  測(cè)  器：雙閃探測(cè)器 ZnS(Ag)涂層、塑料閃爍體晶體
v             主機(jī)為惰性探測(cè)器
v 主機(jī)γ劑量率：0.01--30000μSv/h（可擴(kuò)展到10sv/h）
v 探測(cè)器面積：180cm²
v 核素庫(kù)：20個(gè)內(nèi)置核素庫(kù)，可進(jìn)行制定核素活度測(cè)量，且可自定義
v 計(jì)數(shù)范圍：1～1000000
v 探測(cè)效率：α≥50%（對(duì)²³⁹Pu），β≥50%
v 靈 敏 度：α表面活度響應(yīng)>s^-1Bq^-1cm²；β表面活度響應(yīng)>7s^-1Bq^-1cm²
v 測(cè)量本底： 每分鐘計(jì)數(shù)α≤0.1CPS，β≤25CPS
v 測(cè)量時(shí)間：1、10、20、60、120秒可選
v 顯示單位：CPM、CPS、Bq/cm2、mSv、μGy/h、mGy/h
v 相對(duì)基本誤差：≤±10%  
v 環(huán)境特性：工作溫度范圍：-10℃～+45℃
v 相對(duì)濕度范圍：≤90%（40℃）
v 供電電源：鋰電池
v 功    耗：整機(jī)電流≤150mA  
v 外    殼：工程ABS

MKY-RJ39-2180 α、β表面污染測(cè)量?jī)x

主要參數(shù)指標(biāo)
v 探  測(cè)  器：雙閃探測(cè)器 ZnS(Ag)涂層、塑料閃爍體晶體
v             主機(jī)為惰性探測(cè)器
v 主機(jī)γ劑量率：0.01--30000μSv/h（可擴(kuò)展到10sv/h）
v 探測(cè)器面積：180cm²
v 核素庫(kù)：20個(gè)內(nèi)置核素庫(kù)，可進(jìn)行制定核素活度測(cè)量，且可自定義
v 計(jì)數(shù)范圍：1～1000000
v 探測(cè)效率：α≥50%（對(duì)²³⁹Pu），β≥50%
v 靈 敏 度：α表面活度響應(yīng)>s^-1Bq^-1cm²；β表面活度響應(yīng)>7s^-1Bq^-1cm²
v 測(cè)量本底： 每分鐘計(jì)數(shù)α≤0.1CPS，β≤25CPS
v 測(cè)量時(shí)間：1、10、20、60、120秒可選
v 顯示單位：CPM、CPS、Bq/cm2、mSv、μGy/h、mGy/h
v 相對(duì)基本誤差：≤±10%  
v 環(huán)境特性：工作溫度范圍：-10℃～+45℃
v 相對(duì)濕度范圍：≤90%（40℃）
v 供電電源：鋰電池
v 功    耗：整機(jī)電流≤150mA  
v 外    殼：工程ABS